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power controller. TP6273 Datasheet

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power controller. TP6273 Datasheet






TP6273 controller. Datasheet pdf. Equivalent




TP6273 controller. Datasheet pdf. Equivalent





Part

TP6273

Description

Current mode PWM power controller



Feature


TP6273 PWM , , Burst ,PFM , PW M , ,。 TP6273 ,、、VDD 、UV LO , 。 TP6273 75mW, , EMI TP6273 PWM <75mW@230V PWM, PFM BURST 65kHz HVDD SOT23_6 DVD,, LED V1.0 Shenzhen TPOWER Semiconduct or 1 TP6273 PWM DC EMI AC 1 GND G ATE 6 2 FB HVDD 5 3 RT CS 4 TP6723 1 GND GATE 6 2 FB HVDD 5 3 RT CS 4 SOT23_6 1 .
Manufacture

TPOWER

Datasheet
Download TP6273 Datasheet


TPOWER TP6273

TP6273; 2 3 4 5 6 GND FB RT CS HVDD GATE / V1.0 Shenzhen TPOWER Semiconduct or 2 ( 1) HVDD,GATE GND FB,R T,CS GND ( 2) ESD (HBM) ESD (MM) TP6273 PWM -0.3~+40 VSW-0.3~VSW+6 2 -50~+150 -40~+150 -40~+105 2000 200 V V W ℃ ℃ ℃ V V HVDD TOP 9~36 -20~+85 V ℃ 1: 。, 。, 。。 ,,。 2:, TJMA X,ѲJA TA 。 PDMAX=(TJMAX-TA)/ ѲJA 。 (,Ta=25℃,HVDD=18.


TPOWER TP6273

V) ISTART IQC VST VUVLO VHOVP H VDD HVDD HVDD VFB_OCP FOSC FJITTER DMAX TON_MIN VOCP HVDD= 18V,V FB=0V HVDD HVDD V1.0 Shenzhen TPOWE R Semiconductor 5uA 750 950 13. 6 14.6 7.5 8.5 32 uA Ua V V V 3. 7 V 60 70 kHz +-4 % 75 % 450 ns 850 mV 3 TOCP VBURST_H VBURST_L / BURST BURST T_D V_CLAMP GAT E VRT VOVP IRT .


TPOWER TP6273

RT FB=3V HVDD=30V RT RT HVDD UVLO LINE COMPENSATION SLOPE 5V COM PENSATION Internal supply FB RT OVP/ OCP/OTP CS PFM BURST PWM TP6273 PWM 100 ms 0.77 V 0.67 V 100 ns 13.5 V 1 V 4 V 100 uA OSC LOGIC DRIVER GATE 13.5V GND TP6273 PWM , , Burst ,PFM , PWM , , TP6273。 PWM, ,,PFM, ,BU RST, ,。 TP6273 .

Part

TP6273

Description

Current mode PWM power controller



Feature


TP6273 PWM , , Burst ,PFM , PW M , ,。 TP6273 ,、、VDD 、UV LO , 。 TP6273 75mW, , EMI TP6273 PWM <75mW@230V PWM, PFM BURST 65kHz HVDD SOT23_6 DVD,, LED V1.0 Shenzhen TPOWER Semiconduct or 1 TP6273 PWM DC EMI AC 1 GND G ATE 6 2 FB HVDD 5 3 RT CS 4 TP6723 1 GND GATE 6 2 FB HVDD 5 3 RT CS 4 SOT23_6 1 .
Manufacture

TPOWER

Datasheet
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 TP6273
方法概述
TP6273 是一款低功耗的电流模式 PWM 控制芯片,采用
了自适应的绿色模式工作方式,根据系统的带载要求切换
Burst 模式,PFM 模式,或者 PWM 模式,大大降低了系
统损耗,提高转换效率。
TP6273 内部集成了多种保护功能以保证系统的稳定和可
靠,如过流保护、过载保护、VDD 过压保护、UVLO 和可
调节的过温保护等多种保护,特别针对系统应用中出现的
光耦次级端短路加入了可调节的保护。
TP6273 的待机功耗可以低于 75mW,配合芯片的多模式
工作方式可以实现六级能效,内置的频率抖动功能大大简
化了系统的 EMI 设计。
典型应用电路
TP6273
电流模式 PWM 功率控制芯片
特点
满足六级能效
待机功耗<75mW@230V
PWMPFM BURST 多模式切换
内置频率抖动功能
内置前沿消隐电路
最大工作频率 65kHz
集成斜率补偿功能
集成输入线电压补偿
逐周期峰值电流限制
开机软启动
输出过流保护功能
输出短路保护功能
芯片供电欠压保护功能
可编程的过温保护功能
可编程的 HVDD 过压保护功能
超低启动电流
采用 SOT23_6 封装
应用
DVD,打印机电源,机顶盒电源
笔记本电脑以及平板电脑电源
适配器
LED 照明电源
V1.0
Shenzhen TPOWER Semiconductor
1




 TP6273
TP6273
电流模式 PWM 功率控制芯片
1 GND GATE 6
2 FB HVDD 5
3 RT
CS 4
TP6723
管脚
1 GND GATE 6
2 FB HVDD 5
3 RT
CS 4
SOT23_6
管脚描述
管脚编号
1
2
3
4
5
6
管脚名称
GND
FB
RT
CS
HVDD
GATE
芯片地
芯片反馈脚
过温保护/过压保护脚
峰值电流侦测脚
芯片电源输入脚
功率开关驱动脚
描述
V1.0
Shenzhen TPOWER Semiconductor
2




 TP6273
极限参数(注 1
参数
HVDDGATE GND 电压
FB,RT,CS GND 电压
功率损耗(2)
储存环境温度
工作结温范围
工作环境温度
ESD 水平(HBM)
ESD 水平(MM)
TP6273
电流模式 PWM 功率控制芯片
额定值
-0.3~+40
VSW-0.3~VSW+6
2
-50~+150
-40~+150
-40~+105
2000
200
单位
V
V
W
V
V
推荐工作范围
参数
芯片工作电压
工作环境温度
符号
HVDD
TOP
工作条件
正常工作
正常工作
推荐值
9~36
-20~+85
单位
V
1: 最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。在短时间内施加器件允许的绝对最大额定值不会引起产品永久性的损坏,但长
时间用在器件允许的最大额定值时,会对产品的可靠性造成影响。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常,但不完全保证
满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。对
于未给定的上下限参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
2:环境温度升高最大功耗会减小,这是由 TJMAXѲJA 和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX=(TJMAX-TA)/ ѲJA 或是极限
参数范围给出的数字中比较低的那个值。
电气参数
(无特殊说明,Ta=25℃,HVDD=18V)
符号
参数
电源启动
ISTART
IQC
VST
VUVLO
VHOVP
启动电流
静态工作电流
HVDD 启动电压
HVDD 欠压保护
HVDD 过压保护
开关控制
VFB_OCP
FOSC
FJITTER
DMAX
TON_MIN
VOCP
系统过流保护触发电压
工作频率
频率抖动
最大占空比
最小导通时间
最大峰值电流保护阈值
测试条件
HVDD= 18V,VFB=0V
HVDD 上升
HVDD 下降
V1.0
Shenzhen TPOWER Semiconductor
最小值 典型值 最大值
5uA
750
950
13.6
14.6
7.5
8.5
32
单位
uA
Ua
V
V
V
3.7
V
60
70
kHz
+-4
%
75
%
450
ns
850
mV
3



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